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Single P-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild Semiconductor bieten kleine Bauform und geringen Durchlasswiderstand
Fürstenfeldbruck, 22.02.2012 07:00 Telekommunikation/Elektronik
(Fürstenfeldbruck) Bauteil speziell für Batterieschalter oder als Lastschalter in Mobiltelefonen und ultraportablen Anwendungen
Fürstenfeldbruck - 22. Februar 2012 - Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) stellt P-Kanal PowerTrench® MOSFETs zur Realisierung von kleinen Batterie- und/oder Lastschaltlösungen mit ausgezeichneter thermischer Charakteristik für Mobiltelefone und andere ultraportable Anwendungen vor.Der FDMA905P und der FDME905PT sind MOSFETs mit einem geringen Durchlasswiderstand. Diese Bauteile zeichnen sich durch ein für ihre Größe außerordentliches thermisches Verhalten aus und sind auch für lineare Anwendungen bestens geeignet. Weitere Informationen und Muster sind erhältlich unter: http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html,
Funktionen und Vorteile:
FDMA905P:
- 2 mm x 2 mm MicroFETTM Gehäuse mit geringer Höhe - maximal 0,8 mm
- Garantierter niedriger RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16 m
veröffentlicht am: 22.02.2012 07:00
Kategorie : Telekommunikation/Elektronik
Verantwortlich : Fairchild Semiconductor
Externer Link: http://www.fairchildsemi.com/
Permanenter Link:
http://www.pressemitteilung.be/vidin/82193/Single-P-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs-von-Fairchild-Semiconductor-bieten-kleine-Bauform-und-geringen-Durchlasswiderstand.html
| Direktkontakt |
| Lucy Turpin Communications Birgit Fuchs-Laine Prinzregentenstr. 79 81675 München Tel: 089-417761-13 Fax: Email: fairchild.eu@lucyturpin.com Website: http://www.lucyturpin.com |
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